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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0400340 (2012-02-20) |
등록번호 | US-8405134 (2013-03-26) |
우선권정보 | JP-2004-071186 (2004-03-12); JP-2004-313350 (2004-10-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 31 |
The output voltage of an MRAM is increased by means of an Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) MTJ device, which is formed by microfabrication of a sample prepared as follows: A single-crystalline MgO (001) substrate is prepared. An epitaxial Fe(001) lower electrode (a first electrode) is grown on a MgO(001) se
1. A magnetoresistive device having a tunnel barrier junction structure, the magnetoresistive device comprising: a first ferromagnetic material layer deposited on a substrate;a second ferromagnetic material layer; anda tunnel barrier layer located between the first and second ferromagnetic material
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