최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0535141 (2009-08-04) |
등록번호 | US-8425704 (2013-04-23) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 2 |
Silicon-based explosive devices and methods of manufacture are provided. In this regard, a representative method involves: providing a doped silicon substrate; depositing undoped silicon on a first side of the substrate; and infusing an oxidizer into an area bounded at least in part by the undoped s
1. A method for manufacturing a silicon-based explosive device comprising: providing a silicon substrate;depositing a masking material on a first side of the substrate;forming pores in the first side of the substrate in an area defined by the masking materialforming an initiator on the substrate and
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.