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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0978385 (2010-12-23) |
등록번호 | US-8441006 (2013-05-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 6 |
Embodiments of the invention provide dielectric films and low-k dielectric films and methods for making dielectric and low-k dielectric films. Dielectric films are made from carbosilane-containing precursors. In embodiments of the invention, dielectric film precursors comprise attached porogen molec
1. A device comprising, a substrate,a dielectric film disposed on the substrate, wherein the dielectric film is comprised of crosslinked cyclic carbosilanes, wherein a cyclic carbosilane has a ring structure comprising carbon and silicon, wherein the dielectric film is hydrophobic, wherein the diele
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