최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0218802 (2011-08-26) |
등록번호 | US-8441090 (2013-05-14) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 43 |
A photodetector is described along with corresponding materials, systems, and methods. The photodetector comprises an integrated circuit and at least two optically sensitive layers. A first optically sensitive layer is over at least a portion of the integrated circuit, and a second optically sensiti
1. A photodetector comprising: a pixel region comprising an optically sensitive material;pixel circuitry electrically coupled to the optically sensitive material, the pixel circuitry establishing a voltage over an integration period of time, wherein a signal is generated based on the voltage after t
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.