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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0910553 (2010-10-22) |
등록번호 | US-8449848 (2013-05-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 14 |
Production of polycrystalline silicon in a substantially closed-loop process is disclosed. The processes generally include decomposition of trichlorosilane produced from metallurgical grade silicon.
1. A system for producing polycrystalline silicon by decomposition of trichlorosilane, the system being substantially closed-loop with respect to trichlorosilane, the system comprising: a chlorination reactor in which hydrogen chloride is contacted with silicon to produce trichlorosilane and silicon
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