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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0314513 (2011-12-08) |
등록번호 | US-8450209 (2013-05-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 88 |
A method of forming a non-volatile memory device includes providing a substrate having a surface and forming a first dielectric overlying the surface, forming a first wiring comprising aluminum material over the first dielectric, forming a silicon material over the aluminum material to form an inter
1. A method of forming a non-volatile memory device, comprising: forming a first dielectric layer over a surface region of a semiconductor substrate;forming a first wiring layer comprising an aluminum material over the first dielectric layer;forming a silicon layer over the first wiring layer;perfor
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