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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0338620 (2011-12-28) |
등록번호 | US-8460977 (2013-06-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 17 |
A method of forming an electronic device, including forming a preliminary buffer layer on a drift layer, forming a first layer on the preliminary buffer layer, selectively etching the first layer to form a first mesa that exposes a portion of the preliminary buffer layer, and selectively etching the
1. A method of forming an electronic device, comprising: forming a preliminary buffer layer having a second conductivity type on a drift layer having a first conductivity type;forming a first layer having the second conductivity type on the preliminary buffer layer;selectively etching the first laye
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