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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0890790 (2007-08-06) |
등록번호 | US-8470191 (2013-06-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 143 |
Plating accelerator is applied selectively to a substantially-unfilled wide (e.g., low-aspect-ratio feature cavity. Then, plating of metal is conducted to fill the wide feature cavity and to form an embossed structure in which the height of a wide-feature metal protrusion over the metal-filled wide-
1. A method of conducting localized chemical wet etching of copper disposed on a surface of an integrated circuit substrate, comprising: contacting the surface of the integrated circuit substrate with a liquid chemical isotropic copper etchant, wherein the liquid chemical isotropic copper etchant co
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