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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0316890 (2011-12-12) |
등록번호 | US-8476774 (2013-07-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 139 |
A microelectronic assembly includes first and second stacked microelectronic elements, each having spaced apart traces extending along a front face and beyond at least a first edge thereof. An insulating region can contact the edges of each microelectronic element and at least portions of the traces
1. An in-process microelectronic assembly comprising: a first substrate;a first microelectronic element comprising a front face bonded to said first substrate and an opposing rear face; said first microelectronic element further comprising a plurality of first traces extending along said front face,
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