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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0191090 (2011-07-26) |
등록번호 | US-8497580 (2013-07-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 8 |
An interconnect structure that includes a dielectric material having a dielectric constant of about 3.0 or less is provided. This low k dielectric material has at least one conductive material having an upper surface embedded therein. The dielectric material also has a surface layer that is made hyd
1. An interconnect structure comprising: a dielectric material having a dielectric constant of about 3.0 or less, said dielectric material having a hydrophobic surface layer and at least one conductive material having an upper surface embedded within said dielectric material, wherein the upper surfa
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