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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0786329 (2010-05-24) |
등록번호 | US-8500983 (2013-08-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 23 |
A plating protocol is employed to control plating of metal onto a wafer comprising a conductive seed layer. Initially, the protocol employs cathodic protection as the wafer is immersed in the plating solution. In certain embodiments, the current density of the wafer is constant during immersion. In
1. A method of controlling plating of copper interconnects on a semiconductor wafer, the method comprising: (a) immersing a plating surface of the wafer in plating bath comprising a copper salt and a suppressor while applying a cathodic current to the wafer in the range of about 1.5 to 20 mA/cm2 dur
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