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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0888790 (2010-09-23) |
등록번호 | US-8502689 (2013-08-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 9 |
The present invention provides a system and method for the detection of plasma excursions, such as arcs, micro-arcs, or other plasma instability, during plasma processing by directly monitoring direct current (DC) bias voltage on an RF power electrode of a plasma processing chamber. The monitored DC
1. A method for detecting plasma excursions in a plasma chamber, comprising: directly sensing a bias voltage from a radio frequency (RF) powered electrode disposed in a gas distribution system within the plasma chamber during plasma processing;filtering the bias voltage using a plurality of analog f
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