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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0208850 (2011-08-12) |
등록번호 | US-8505613 (2013-08-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 78 |
A structure including a die with at least one via within a semiconductor portion of the die, the via being proximate to a hot spot. The via is at least partially filled with a heat-dissipating material and is also capable of absorbing heat from the hot spot.
1. A structure comprising: a die with at least one via within a semiconductor portion of the die, the via being proximate to a hot spot, the via being at least partially filled with a heat-dissipating material; andthe via being capable of absorbing heat from the hot spot. 2. The structure of claim 1
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