최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0489244 (2012-06-05) |
등록번호 | US-8518765 (2013-08-27) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 1 |
A method for cleaning residues from a semiconductor substrate during a nickel platinum silicidation process is disclosed, including a multi-step residue cleaning, including exposing the substrate to an aqua regia solution, followed by an exposure to a solution having hydrochloric acid and hydrogen p
1. A method for cleaning nickel and platinum residues from a surface of a substrate, comprising: exposing the surface to a solution comprising nitric acid or sulfuric acid;performing a rapid thermal process;exposing the surface to a first solution containing a mixture of nitric acid and hydrochloric
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.