최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0907127 (2010-10-19) |
등록번호 | US-8546797 (2013-10-01) |
우선권정보 | JP-2009-241081 (2009-10-20); JP-2009-250540 (2009-10-30) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 2 |
In a ZnO based compound semiconductor device, nitrogen (N) doped (Mg)ZnO:N layer is inserted as a diffusion barrier layer 9 between a ZnO based n-type layer 3 to which n-type dopants are doped and an active layer 4 or a p-type layer 5. The diffusion barrier layer 9 prevents diffusion of the n-type d
1. A ZnO based compound semiconductor device, comprising: an n-type semiconductor layer, comprising a single layer to which both group III elements and nitrogen (N) atoms are doped;a p-type semiconductor layer formed above the n-type semiconductor layer; andan active layer formed between the n-type
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.