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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0781649 (2010-05-17) |
등록번호 | US-8558325 (2013-10-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 320 |
A gate containing ruthenium for a dielectric having an oxide containing a lanthanide and a method of fabricating such a combination gate and dielectric produce a reliable structure for use in a variety of electronic devices. A ruthenium or a conductive ruthenium oxide gate may be formed on a lanthan
1. An electronic device comprising: a dielectric in an integrated circuit, the dielectric including an oxide region, the oxide region containing at least two different lanthanides of the lanthanide series of elements, each of the lanthanides configured throughout the oxide region; anda conductive ma
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