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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0132151 (2005-05-18) |
등록번호 | US-8564061 (2013-10-22) |
우선권정보 | DE-10 2004 024 659 (2004-05-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 13 |
A semiconductor device has elongate plug structures extending in the lateral direction. The plug structures serve as electrical lines in order to enable locally defined lateral current flows within the cell array, within edge regions or logic regions of the semiconductor device.
1. A power semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having a first isolation layer on a surface thereof, and first and second metallization regions on a surface of said first isolation layer, said first and second metallization regions contacting first and second doped regions thro
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