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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0945241 (2013-07-18) |
등록번호 | US-8633463 (2014-01-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
Organometallic precursors may be utilized to form titanium silicon nitride films that act as heaters for phase change memories. By using a combination of TDMAT and TrDMASi, for example in a metal organic chemical vapor deposition chamber, a relatively high percentage of silicon may be achieved in re
1. A phase change memory comprising: a phase change material; anda heater configured to heat the phase change material, wherein the heater comprises a titanium silicon nitride layer, the heater having an L-shape. 2. The phase change memory of claim 1, wherein the heater includes at least 10 percent
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