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Method and system for controlling radio frequency power 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H03K-003/00
출원번호 US-0491538 (2009-06-25)
등록번호 US-8659335 (2014-02-25)
발명자 / 주소
  • Nagarkatti, Siddharth
  • Tian, Feng
  • Lam, David
  • Rashid, Abdul
  • Benzerrouk, Souheil
  • Bystryak, Ilya
  • Menzer, David
  • Schuss, Jack J.
  • Ambrosina, Jesse E.
출원인 / 주소
  • MKS Instruments, Inc.
대리인 / 주소
    Proskauer Rose LLP
인용정보 피인용 횟수 : 15  인용 특허 : 22

초록

A method for controlling pulsed power that includes measuring a first pulse of power from a power amplifier to obtain data. The method also includes generating a first signal to adjust a second pulse of delivered power, the first signal correlated to the data to minimize a power difference between a

대표청구항

1. A method for controlling pulsed power, comprising: measuring a first pulse of delivered power from a power amplifier to obtain data;generating a first signal to adjust a second pulse of delivered power, the first signal correlated to the data to minimize a power difference between a power set poi

이 특허에 인용된 특허 (22)

  1. Stephen E. Savas, Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate.
  2. Gorin Georges J. (Emeryville CA), Apparatus for controlling a plasma reaction.
  3. Nitschke, Moritz, Controlled plasma power supply.
  4. El-Hamamsy Sayed-Amr A. (Schenectady NY), Dual feedback control for a high-efficiency class-d power amplifier circuit.
  5. Rusu,Camelia; Dhindsa,Rajinder; Hudson,Eric A.; Srinivasan,Mukund; Li,Lumin; Kozakevich,Felix, High aspect ratio etch using modulation of RF powers of various frequencies.
  6. Hamamoto,Nariaki, Ion beam irradiation apparatus for suppressing charge up of substrate and method for the same.
  7. Wendt Amy Eileen ; Wang Shiang-Bau, Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates.
  8. Kishinevsky,Michael, Method and apparatus for preventing instabilities in radio-frequency plasma processing.
  9. Todorow, Valentin; Holland, John; Gani, Nicolas, Method and apparatus for tuning an RF matching network in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system.
  10. Paterson, Alex; Yamartino, John M.; Loewenhardt, Peter K.; Zawalski, Wade, Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process.
  11. Donohoe Kevin G. ; Sandhu Gurtej S., Method for pulsed-plasma enhanced vapor deposition.
  12. Gagne Peter H. (Brookfield CT) Morrisroe Peter J. (New Fairfield CT), Plasma emission source.
  13. Chua,Thai Cheng, Plasma gate oxidation process using pulsed RF source power.
  14. Dhindsa,Raj; Kozakevich,Felix; Trussell,David Douglas, Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies.
  15. Jin-Yuan Chen ; John P. Holland ; Arthur H. Sato ; Valentin N. Todorow, Pulsed RF power delivery for plasma processing.
  16. Gonzalez,Juan Jose; Tomasel,Fernando Gustavo; Shabalin,Andrew, Pulsed excitation of inductively coupled plasma sources.
  17. Heinecke Rudolf A. (Essex GB3) Ojha Sureshchandra M. (Essex GB3) Llewellyn Ian P. (Essex GB3), Pulsed plasma apparatus and process.
  18. Johnson,Wayne L.; Strang,Eric J., Pulsed plasma processing method and apparatus.
  19. Forster, John; Gopalraja, Praburam; Stimson, Bradley O.; Hong, Liubo, Pulsed-mode RF bias for side-wall coverage improvement.
  20. Hauer, Frederick; Bhutta, Imran A.; Decker, Ronald A.; Osselburn, Joseph; Beizer, Theresa; Mavretic, Anton, RF power control device for RF plasma applications.
  21. Chi Kyeong-koo,KRX, Radio frequency generating systems and methods for forming pulse plasma using gradually pulsed time-modulated radio freq.
  22. Blattner, Manfred; Winterhalter, Markus; Mann, Ekkehard, Supplying RF power to a plasma process.

이 특허를 인용한 특허 (15)

  1. Bhutta, Imran Ahmed, Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same.
  2. Hu, Xiang; Padron Wells, Gabriel; Chang, Jack Chao-Hsu; Wang, Mingmei; Han, Taejoon, Feature etching using varying supply of power pulses.
  3. Bhutta, Imran Ahmed, High speed high voltage switching circuit.
  4. Bhutta, Imran, High voltage switching circuit.
  5. Yamada, Norikazu; Tachikawa, Toshifumi; Nagami, Koichi; Ikenari, Tatsuya; Maehara, Daisuke, Plasma processing apparatus.
  6. Bhutta, Imran Ahmed, RF impedance matching network.
  7. Bhutta, Imran Ahmed, RF impedance matching network.
  8. Bhutta, Imran Ahmed, RF impedance matching network.
  9. Bhutta, Imran Ahmed, RF impedance matching network.
  10. Mavretic, Anton, RF impedance matching network.
  11. Mavretic, Anton, RF impedance matching network.
  12. Rughoonundon, Amish; Fisk, II, Larry J.; Radomski, Aaron T., RF pulse edge shaping.
  13. Mavretic, Anton, Switching circuit.
  14. Mavretic, Anton, Switching circuit.
  15. Mavretic, Anton, Switching circuit for RF currents.
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