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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0053745 (2008-03-24) |
등록번호 | US-8664078 (2014-03-04) |
우선권정보 | JP-2007-118086 (2007-04-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 13 |
An object is to provide a semiconductor device in which, through a simpler process, junction capacitance and power consumption can be reduced more than a conventional semiconductor device, and a manufacturing method thereof. An insulating film including an opening is formed over a base substrate and
1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a first insulating film including first and second openings over a base substrate;bonding a bond substrate to the base substrate with the first insulating film interposed therebetween;fixing a semiconductor film w
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