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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0229752 (2011-09-11) |
등록번호 | US-8664665 (2014-03-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 174 |
The present disclosure generally relates to a Schottky diode that has a substrate, a drift layer provided over the substrate, and a Schottky layer provided over an active region of the substrate. A junction barrier array is provided in the drift layer just below the Schottky layer. The elements of t
1. A semiconductor device comprising: a drift layer having a first surface with an active region and a plurality of junction barrier element recesses, the drift layer being doped with a doping material of a first conductivity type and associated with an edge termination region that is substantially
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