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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0311538 (2011-12-05) |
등록번호 | US-8704238 (2014-04-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 20 |
A three-dimensional integrated circuit device includes a first substrate having a first crystal orientation comprising at least one or more PMOS devices thereon and a first dielectric layer overlying the one or more PMOS devices. The three-dimensional integrated circuit device also includes a second
1. A three-dimensional integrated circuit device comprising: a first substrate having a first crystal orientation, and including: at least one or more PMOS device thereon; anda first dielectric layer overlying the one or more PMOS devices;a second substrate having a second crystal orientation and in
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