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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0849742 (2013-03-25) |
등록번호 | US-8704340 (2014-04-22) |
우선권정보 | JP-2011-7056 (2011-01-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 19 |
A compound semiconductor substrate includes a first substrate and a second substrate made of single crystal gallium nitride. In each of the first substrate and the second substrate, one surface is a (0001) Ga-face and an opposite surface is a (000-1) N-face. The first substrate and the second substr
1. A compound semiconductor substrate comprising a first substrate and a second substrate made of single crystal gallium nitride, wherein in each of the first substrate and the second substrate, one surface is a (0001) Ga-face and an opposite surface is a (000-1) N-face, andthe first substrate and t
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