[특허]Method and system for producing fluoride gas and fluorine-doped glass or ceramics

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C01B-033/02 C01B-033/107 C01B-033/32 C01B-003/02
출원번호	US-0549206 (2009-08-27)
등록번호	US-8709370 (2014-04-29)
발명자 / 주소	Sanjurjo, Angel Lau, Kai-Hung Xie, Xiaobing Krishnan, Gopala
출원인 / 주소	SRI International
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 18

초록 ▼

The present invention relates generally to production of a fluoride gas and equivalents thereof, and fluorine-doped sodium silicate glass, glass ceramics, vitro ceramics and equivalents thereof. In one embodiment, the method includes providing a salt and an oxide in a reactor, heating the reactor to

대표청구항 ▼

1. A method for producing sodium silicate glass during a production of a high purity silicon (Si), comprising: precipitating sodium fluorosilicate (Na2SiF6) from fluorosilicic acid (H2SiF6);thermally decomposing the Na2SiF6 to produce a silicon tetrafluoride gas (SiF4) and sodium fluoride (NaF);reducing the SiF4 with sodium (Na) to produce NaF and the high purity Si in a first reactor;providing the NaF from the reduction of the SiF4 from the first reactor and silica sand (SiO2) in a second reactor; andheating the second reactor to produce additional SiF4 and the sodium silicate glass doped with fluorine ions (Na2SiO3(F)), wherein the heating comprises providing energy released from the first reactor in an exothermic reaction of the SiF4 that is reduced with the Na;purifying the additional SiF4 via a condenser absorber train; andrecycling the additional SiF4 back into the reducing step. 2. The method of claim 1, further comprising: recycling the SiF4 back into the process to produce the high purity metal. 3. The method of claim 1, wherein heating comprises heating the second reactor at a temperature of between a range of 1000 degrees Celsius (° C.) to about 1500° C.

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