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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0989036 (2009-04-17) |
등록번호 | US-8715414 (2014-05-06) |
우선권정보 | JP-2008-114466 (2008-04-24); JP-2009-056914 (2009-03-10) |
국제출원번호 | PCT/JP2009/057722 (2009-04-17) |
§371/§102 date | 20101021 (20101021) |
국제공개번호 | WO2009/131063 (2009-10-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
There are provided a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate that achieves high crystallinity and low costs, an epitaxial wafer, and manufacturing methods thereof. A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate according to the present invention includes the steps of preparing a different type of su
1. A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, comprising the steps of: preparing a different type of substrate; andgrowing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv layer having a main surface (0≦v≦1, 0≦w≦1, 0≦x≦1, and 0≦v+w+x≦1) on the different type of substrate,wherein the component ratio x+v at the m
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