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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0203412 (2008-09-03) |
등록번호 | US-8726475 (2014-05-20) |
우선권정보 | JP-2004-326975 (2004-11-10); JP-2005-316894 (2005-10-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A method for producing a piezoelectric thin-film resonator includes forming a sacrificial layer on a substrate, performing a plasma treatment on the sacrificial layer so that the surface roughness (Ra) of end surface portions of the sacrificial layer is about 5 nm or less, forming a strip-shaped die
1. A method for producing a piezoelectric thin-film resonator comprising the steps of: forming on a substrate a sacrificial layer having a top principal surface and end surface portions;performing a plasma treatment on the sacrificial layer so as to planarize the sacrificial layer and reduce a surfa
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