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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0027528 (2013-09-16) |
등록번호 | US-8735946 (2014-05-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 9 |
Embodiments of the invention relate to substrates comprising a base wafer, an insulating layer and a top semiconductor layer, wherein the insulating layer comprises at least a zone wherein a density of charges is in absolute value higher than 1010 charges/cm2. The invention also relates to processes
1. A substrate, comprising: a base wafer;an insulating layer over the base wafer, the insulating layer comprising at least one zone having a density of charges in absolute value higher than 1010 charges/cm2;a top semiconductor layer over the insulating layer on a side thereof opposite the base wafer
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