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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0649879 (2009-12-30) |
등록번호 | US-8750539 (2014-06-10) |
우선권정보 | GB-0823653.1 (2008-12-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 4 |
Charge pump circuits having circuit components such as transistors which may be damaged by voltage transients greater than the normal operating voltage levels of the charge pump circuit, such as may be experienced during powering down. The circuit components to be protected are connected in parallel
1. A charge pump circuit having a plurality of stages comprising: at least one circuit component that comprises a transistor and that may be damaged by voltage transients above the normal operating voltages of the circuit, wherein said circuit component is part of a switching stage for switchably co
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