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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0609281 (2012-09-11) |
등록번호 | US-8759909 (2014-06-24) |
우선권정보 | CN-2012 1 0236232 (2012-05-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 6 |
A power MOSFET includes a semiconductor substrate with an upper surface, a cavity of a first depth in the substrate whose sidewall extends to the upper surface, a dielectric liner in the cavity, a gate conductor within the dielectric liner extending to or above the upper surface, body region(s) with
1. An insulated gate field effect transistor, comprising: a semiconductor containing substrate having a first surface;a cavity formed in the substrate and having a sidewall extending to a first depth from the first surface;a dielectric liner in the cavity;a gate conductor within the dielectric liner
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