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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0281688 (2011-10-26) |
등록번호 | US-8765613 (2014-07-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 9 |
An anisotropic silicon nitride etch provides selectivity to silicon and silicon oxide by forming a fluorohydrocarbon-containing polymer on silicon surfaces and silicon oxide surfaces. Selective fluorohydrocarbon deposition is employed to provide selectivity to non-nitride surfaces. The fluorohydroca
1. A method of forming a semiconductor structure comprising: forming a shallow trench isolation structure comprising silicon oxide within a semiconductor material portion in a semiconductor substrate;forming a gate stack on said semiconductor material portion;forming a silicon nitride layer on said
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