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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0488854 (2012-06-05) |
등록번호 | US-8802534 (2014-08-12) |
우선권정보 | JP-2011-132378 (2011-06-14); JP-2011-232029 (2011-10-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 40 |
A bond substrate is attached with an incline toward the setting surface of a base substrate. Accordingly, an attachment starting portion can be limited. Further, the bond substrate is provided so that part of the bond substrate extends beyond a support base and the part is closest to the base substr
1. A method for forming an SOI substrate comprising: setting a base substrate on an upper support base;setting a bond substrate on entire surfaces of which an insulating layer is formed and which comprises a microbubble region to a lower support base so that at least an end portion of the bond subst
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