최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0594519 (2012-08-24) |
등록번호 | US-8809106 (2014-08-19) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 257 |
Non-silicon based semiconductor devices are integrated into silicon fabrication processes by using aspect-ratio-trapping materials. Non-silicon light-sensing devices in a least a portion of a crystalline material can output electrons generated by light absorption therein. Exemplary light-sensing dev
1. A method comprising: forming a first trench in a crystalline semiconductor substrate;forming a second trench in a dielectric material in the first trench;forming a crystalline material in the second trench, the crystalline material being lattice-mismatched to the crystalline semiconductor substra
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.