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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0949283 (2010-11-18) |
등록번호 | US-8815662 (2014-08-26) |
우선권정보 | JP-2009-266150 (2009-11-24); JP-2009-266151 (2009-11-24); JP-2009-266152 (2009-11-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 45 |
An amorphous semiconductor layer is formed over a first single crystal semiconductor layer provided over a glass substrate or a plastic substrate with an insulating layer therebetween. The amorphous semiconductor layer is formed by a CVD method at a deposition temperature of higher than or equal to
1. A method for manufacturing an SOI substrate, comprising: preparing a first single crystal semiconductor layer provided over a substrate with an insulating layer interposed therebetween, the first single crystal semiconductor layer being in direct contact with the insulating layer;forming an amorp
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