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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0854556 (2004-05-26) |
등록번호 | US-8822282 (2014-09-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 301 |
Structures and methods for fabricating high speed digital, analog, and combined digital/analog systems using planarized relaxed SiGe as the materials platform. The relaxed SiGe allows for a plethora of strained Si layers that possess enhanced electronic properties. By allowing the MOSFET channel to
1. A method comprising: providing a gate stack disposed above a first area of a substrate, the gate stack comprising a gate oxide disposed beneath a conductive gate material, the substrate comprising a strained layer over a first relaxed layer;epitaxially depositing a SiGe layer in at least one area
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