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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0921377 (2013-06-19) |
등록번호 | US-8846491 (2014-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 1 |
Embodiments herein provide approaches for forming a diffusion break during a replacement metal gate process. Specifically, a semiconductor device is provided with a set of replacement metal gate (RMG) structures over a set of fins patterned from a substrate; a dielectric material over an epitaxial j
1. A method for forming a device, the method comprising: providing a set of replacement metal gate (RMG) structures over a set of fins patterned from a substrate;providing a dielectric material over an epitaxial junction area;forming an opening between the set of RMG structures and through the set o
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