[특허]Method for synthesis of cubic boron nitride

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Method for synthesis of cubic boron nitride 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-014/34 C23C-014/46 C23C-016/34 C23C-014/06
출원번호	US-0744557 (2013-01-18)
등록번호	US-8852406 (2014-10-07)
우선권정보	KR-10-2012-0046828 (2012-05-03)
발명자 / 주소	Baik, Young Joon Park, Jong Keuk Lee, Wook Seong
출원인 / 주소	Korea Institute of Science and Technology
대리인 / 주소	Ladas & Parry LLP
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6

초록 ▼

A method for producing a cubic boron nitride (cBN) thin film includes depositing cBN onto nanocrystalline diamond having controlled surface irregularity characteristics to improve the adhesion at the interface of cBN/nanocrystalline diamond, while incorporating hydrogen to a reaction gas upon the synthesis of cBN and controlling the feed time of hydrogen, so that harmful reactions occurring on a surface of nanocrystalline diamond and residual stress applied to cBN may be inhibited. Also, a cBN thin film structure is obtained by the method. The cBN thin film is formed on the nanocrystalline diamond thin film by using a physical vapor deposition process, wherein a reaction gas supplied when the deposition of a thin film occurs is a mixed gas of argon (Ar) with nitrogen (N2), and hydrogen (H2) is added to the reaction gas at a time after the deposition of a thin film occurs.

대표청구항 ▼

1. A method for producing a cubic boron nitride (cBN) thin film on a nanocrystalline diamond thin film using a sputtering process or ion beam deposition process, the method comprising: exciting a reaction gas to perform ionization of the reaction gas; andforming the cBN thin film on the nanocrystalline diamond thin film by allowing ions created from the reaction gas to collide with a target material,wherein, in the forming the cBN thin film, the reaction gas supplied when the deposition of a thin film occurs is a mixed gas of argon (Ar) with nitrogen (N2), and hydrogen (H2) is added to the reaction gas at a time after the deposition of a thin film occurs. 2. The method according to claim 1, wherein a turbostratic BN (tBN) thin film is formed before the cBN thin film is formed on the nanocrystalline diamond thin film, wherein a mixed gas of Ar with N2 is supplied as a reaction gas until the time of the tBN thin film formation, and wherein a mixed gas of Ar, N2 and H2 is supplied as a reaction gas after the completion of the growth of the tBN thin film.

이 특허에 인용된 특허 (6)

Inspektor Aharon, Boron and nitrogen containing coating and method for making.
상세보기
Bello, Igor; Zhang, Wenjun; Lee, Shuit-Tong, Cubic boron nitride/diamond composite layers.
상세보기
DeWald ; Jr. A. Bruce ; Beattie Kenneth Lewis, Disordered coating with cubic boron nitride dispersed therein.
상세보기
Brown, William D.; Beera, Rajan A.; Malshe, Ajay P.; Naseem, Hameed A., Process and apparatus for applying charged particles to a substrate, process for forming a layer on a substrate, products made therefrom.
상세보기
Desphandey Chandra V. (Los Angeles CA) Bunshah Rointan F. (Playa del Ray CA) Doerr Hans J. (Simi Valley CA), Process for making diamond, doped diamond, diamond-cubic boron nitride composite films.
상세보기
Zhang, Wenjun; Lee, Shuit-Tong; Bello, Igor; Leung, Kar Man; Li, He-qin; Zou, You-Shen; Chong, Yat Ming; Ma, Kwok Leung, Ultrahard multilayer coating comprising nanocrystalline diamond and nanocrystalline cubic boron nitride.
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A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
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A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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