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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0744557 (2013-01-18) |
등록번호 | US-8852406 (2014-10-07) |
우선권정보 | KR-10-2012-0046828 (2012-05-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
A method for producing a cubic boron nitride (cBN) thin film includes depositing cBN onto nanocrystalline diamond having controlled surface irregularity characteristics to improve the adhesion at the interface of cBN/nanocrystalline diamond, while incorporating hydrogen to a reaction gas upon the sy
1. A method for producing a cubic boron nitride (cBN) thin film on a nanocrystalline diamond thin film using a sputtering process or ion beam deposition process, the method comprising: exciting a reaction gas to perform ionization of the reaction gas; andforming the cBN thin film on the nanocrystall
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