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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-021/84 H01L-051/10 H01L-051/00 H01L-051/05 |
미국특허분류(USC) | 438/161; 438/151; 257/E51.007; 257/E51.027 |
출원번호 | US-0510408 (2009-07-28) |
등록번호 | US-8853017 (2014-10-07) |
우선권정보 | JP-2008-203881 (2008-08-07) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 24 |
An organic thin film transistor is disclosed, including a substrate formed of an organic insulating layer, a first layer deposited on the substrate using a plating technique to be used for forming a source electrode and a drain electrode, a second layer of a metal material deposited covering the first layer using a further plating technique to be used for forming the source electrode and the drain electrode with the metal material capable of forming an ohmic contact with an organic semiconductor material lower than the first layer, and an organic semicon...
1. An organic thin film transistor, comprising: a substrate;a gate electrode on the substrate;an organic insulating layer on the substrate, the organic insulating layer comprising an organic polymer material;source and drain electrodes, each including (a) a first layer comprising at least one of nickel (Ni) and copper (Cu) formed as a single layer by electroless plating directly on only a surface of the organic insulating layer, and (b) a second layer comprising a metal material, the second layer being formed by electroless plating as a separate layer ov...