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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0300010 (2011-11-18) |
등록번호 | US-8878594 (2014-11-04) |
우선권정보 | IT-MI2010A2146 (2010-11-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 12 |
An embodiment of an IGBT device is integrated in a chip of semiconductor material including a substrate of a first type of conductivity, an active layer of a second type of conductivity formed on an inner surface of the substrate, a body region of the first type of conductivity extending within the
1. An integrated circuit, comprising: a field-effect transistor having a field-effect control node and first and second field-effect conduction nodes;a first bipolar transistor disposed in a semiconductor region having a first bipolar control node coupled to the first field-effect conduction node, a
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