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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0861432 (2010-08-23) |
등록번호 | US-8884261 (2014-11-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 112 |
A resistive switching device. The device includes a first electrode comprising a first metal material overlying the first dielectric material and a switching material comprising an amorphous silicon material. The device includes a second electrode comprising at least a second metal material. In a sp
1. A resistive switching device, comprising: a first electrode comprising a first metal material;a second electrode comprising at least a second metal material;a switching material, the switching material comprising a non-conductive material having non-stoichiometric sites, wherein the non-stoichiom
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