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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0406603 (2012-02-28) |
등록번호 | US-8889438 (2014-11-18) |
우선권정보 | JP-2006-266531 (2006-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 43 |
To eliminate electric discharge when an element formation layer including a semiconductor element is peeled from a substrate used for manufacturing the semiconductor element, a substrate over which an element formation layer and a peeling layer are formed and a film are made to go through a gap betw
1. A peeling method comprising: attaching a film to an element formation layer over a substrate by a first roller;moving the film by a second roller;inserting the substrate in a liquid in a tank at an oblique angle to a top surface of the liquid; andpeeling the element formation layer from the subst
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