최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0133914 (2010-09-09) |
등록번호 | US-8920761 (2014-12-30) |
우선권정보 | NO-20093054 (2009-09-23) |
국제출원번호 | PCT/NO2010/000332 (2010-09-09) |
§371/§102 date | 20110609 (20110609) |
국제공개번호 | WO2011/037473 (2011-03-31) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
The present invention relates to a method for producing high purity silicon comprising providing molten silicon containing 1-10% by weight of calcium, casting the molten silicon, crushing the silicon and subjecting the crushed silicon to a first leaching step in an aqueous solution of HCl and/or HCl
1. A method for producing high purity silicon comprising: providing molten silicon containing 1-10% by weight of calcium;casting the molten silicon;crushing the cast silicon to form silicon particles;subjecting the silicon particles to a first leaching step in an aqueous solution of HCl and/or HCl+F
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.