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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0341057 (2011-12-30) |
등록번호 | US-8936999 (2015-01-20) |
우선권정보 | JP-2011-001616 (2011-01-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 48 |
An SOI substrate including a semiconductor layer whose thickness is even is provided. According to a method for manufacturing the SOI substrate, the semiconductor layer is formed over a base substrate. In the method, a first surface of a semiconductor substrate is polished to be planarized; a second
1. A method for manufacturing an SOI substrate, comprising the steps of: polishing a first surface of a semiconductor substrate;forming an embrittled region in the semiconductor substrate by irradiating a second surface of the semiconductor substrate which is opposite to the first surface with ions;
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