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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0079442 (2013-11-13) |
등록번호 | US-8945414 (2015-02-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 9 |
Oxides (e.g., native or thermal silicon oxide) are etched from underlying silicon with a mixture of fluorine and oxygen radicals generated by a remote plasma. The oxygen radicals rapidly oxidize any uncovered bare silicon areas, preventing the pitting that can result from fluorine etching bare silic
1. A method of etching a pre-existing oxide, the method comprising: positioning a substrate in a process chamber, wherein the substrate comprises a semiconductor material under the pre-existing oxide;generating oxygen radicals and fluorine radicals in a plasma generation source; andexposing the subs
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