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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0410669 (2009-03-25) |
등록번호 | US-8946051 (2015-02-03) |
우선권정보 | JP-2008-079557 (2008-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 21 |
It is an object to provide a method for manufacturing an SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced even when a single crystal semiconductor substrate in which crystal defects exist is used. Such an SOI substrate can be manufactured through the steps o
1. A method for manufacturing an SOI substrate comprising the steps of: forming a single crystal semiconductor layer over a first single crystal semiconductor substrate by an epitaxial growth method;performing a first thermal oxidation treatment on the first single crystal semiconductor substrate ov
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