최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0761929 (2013-02-07) |
등록번호 | US-8981369 (2015-03-17) |
우선권정보 | JP-2007-321898 (2007-12-13) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 2 |
A field effect transistor which includes, on a substrate, at least a semiconductor layer, a passivation layer for the semiconductor layer, a source electrode, a drain electrode, a gate insulating film and a gate electrode, the source electrode and the drain electrode being connected through the semi
1. A composite oxide comprising In (indium), Zn (zinc) and Ga (gallium) in the following atomic ratios (1) to (3): In/(In+Zn)=0.2 to 0.8 (1)In/(In+Ga)=0.59 to 0.99 (2)In/(Ga+Zn)=0.29 to 0.99 (3),forming a sintered target from an oxide semiconductor. 2. The composite oxide according to claim 1,
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.