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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0676943 (2012-11-14) |
등록번호 | US-8982647 (2015-03-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 115 |
Providing for a two-terminal memory architecture that can mitigate sneak path current in conjunction with memory operations is described herein. By way of example, a voltage mimicking mechanism can be employed to dynamically drive un-selected bitlines of the memory architecture at a voltage observed
1. A semiconductor memory, comprising: a set of two terminal memory devices;a set of bitline interconnects, respective ones of the set of bitline interconnects are connected to respective first terminals of respective subsets of the set of two terminal memory devices and configured to activate or de
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