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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0249002 (2014-04-09) |
등록번호 | US-9024294 (2015-05-05) |
우선권정보 | KR-10-2010-0090117 (2010-09-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 38 |
There are disclosed a group III nitride nanorod light emitting device and a method of manufacturing thereof. The group III nitride nanorod light emitting device includes a substrate, an insulating film formed on the substrate, and including a plurality of openings exposing parts of the substrate and
1. A method of manufacturing a group III nitride nanorod light emitting device, the method comprising: forming a first conductive semiconductor layer on a substrate forming an insulating film including openings exposing parts of the first conductive semiconductor layer;growing first conductive group
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