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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0351608 (2012-10-19) |
등록번호 | US-9041136 (2015-05-26) |
우선권정보 | SG-201107712-0 (2011-10-20) |
국제출원번호 | PCT/SG2012/000394 (2012-10-19) |
국제공개번호 | WO2013/058715 (2013-04-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 0 |
According to one aspect, there is provided an avalanche photodiode comprising a first semiconductor layer that absorbs photons of a first wavelength range and having a first energy bandgap; a second semiconductor layer that absorbs photons of a second wavelength range and having a second energy band
1. An avalanche photodiode comprising a first semiconductor layer that absorbs photons of a first wavelength range and having a first energy bandgap;a second semiconductor layer that absorbs photons of a second wavelength range and having a second energy bandgap, the second energy bandgap being diff
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