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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0555271 (2012-07-23) |
등록번호 | US-9041167 (2015-05-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 37 |
An SOI substrate including a buried insulator layer positioned between a base substrate and a top semiconductor active layer is first provided. A semiconductor device can then be formed on and/or within a portion of the top semiconductor active layer. A bottommost surface of the buried insulator lay
1. A semiconductor structure comprising: at least one semiconductor device-containing region comprising at least one semiconductor device located on and/or within a portion of a top semiconductor active layer that is free of crystal defects; anda buried insulator layer located beneath said at least
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